适用范围：

♦ 大规模数字集成电路：MCU、DSP、FPGA、CPU、逻辑器件、接口器件和驱动器件等

♦ 存储器集成电路：SRAM、DRAM、SDRAM、DDR2、EEPROM，Nand Flash（PARALLEL, SERIAL），Nor Flash （PARALLEL SERIAL）等

♦ 特殊器件：ASIC、SOC、Medical、Sensor和客户定制等器件。

产品特点：

♦ 一个老化板的插槽能力；

♦ 手动老化板拔插结构（可选择自动老化板拔插机构）；

♦ 基于一个PTDM模块，具备矢量图形和算法图形产生和测试驱动能力；

♦ 50MHz的系统主时钟，可以实现高频率的功能测试；最小可编程脉冲宽度10ns；

♦ 可以实现数字集成电路、存储器电路和混合集成电路的功能测试能力；

♦ 最多可以配置多达6个程控电源（选件）；可以提供高达104A的电流，老化电源可以并联使用；

♦ 还配置了4路可编程参考电源（Vref）；

♦ 1G超大矢量存储器；

♦ PTDM模块均有时钟发生器、地址发生器（包括1个16位加减Refresh地址计数器）、数据发生器、扫描发生器、图形发生器和信号格式化器等信号发生能力，满足各种器件的功能测试要求；

♦ 算法图形发生器实现存储器激励信号的产生和输出信号监测

♦ I/O通道均具备三态编程控制及信号格式化（NRZ, DNRZ, RTZ, RTO, SBC,FORCE）能力，最多可以多达16组；

♦ 具备拓扑及多路转换功能；

标准规格或主要参数：

♦ 适合于EDA的HD型和HD/H型老化板；

♦ PTDM模块的主要参数：

 ▷ 1G矢量存储器和失效存储器；

 ▷ 主时钟：50MHz，定时分辨率：10ns；

 ▷ 最多可提供256 I/O通道，48个激励信号通道和32个特殊监测通道；

 ▷ 多达4组不同的Vih和Vil数字信号电平编程设置能力，保证混合工艺器件的功能测试能力；

 ▷ Vih编程范围：0-8V、Vil编程范围（最大）：0V～2V；测试阈值电平Vth编程范围：0V～8V；

 ▷ 48路激励通道具备超高信号高电平Vihh的编程能力，编程范围：0V～15V；

 ▷ On-the -fly时钟边沿设置数量：32个；

 ▷ I/O通道具备NRZ, DNRZ, RTZ, RTO等格式化编程能力；

 ▷ 最大通道矢量深度：32M

 ▷ 每个信号通道的连续驱动电流能力：200mA，峰值驱动电流：3A；

 ▷ 4路可编程参考电压，另外最多可选配6组程控老化电源，最大可提供108A老化电流；

 ▷ 可选配模拟模块，每个模块的模拟通道：4路，具备各种标准模拟信号的产生能力；